Kanyarban előznek a csehek: uniós támogatásból fut fel a félvezetőgyártás

Az Európai Bizottság jóváhagyott egy Csehország által összeállított 450 millió eurós (172 milliárd forintos) támogatási csomagot, amely az Onsemi tervezett szilícium-karbid teljesítményelektronikai gyárát futtatja fel, Rožnov pod Radhoštěmben.

A projekt nyomán létrejön az EU első teljesen integrált szilícium-karbid (SiC) gyártósora, ahol „a kristálynövesztéstől a kész eszközökig” zajlik majd a kereskedelmi termelés, a tervek szerint már 2027-től.

Ez a lépés szignifikáns mértékben erősíti Európa teljesítményelektronikai ellátási láncát, és bővíti a térség SiC-kapacitásait. A támogatás új lehetőségeket teremt az autóipar, a megújulóenergia-szektor és az ipari teljesítményelektronikai piacok számára, amelyek stabil helyi forrásokat keresnek.

A támogatás jelentős részt képvisel az Onsemi összesen 1,64 milliárd eurós (626,5 milliárd forintos) beruházásából.

A több mint 27 százalékos hozzájárulás oka az, hogy a létesítmény olyan következő generációs SiC-technológiákat és eszközöket fog gyártani, amelyek termelése az EB szerint jelenleg „nem is létezik Európában”.

A SiC-teljesítményeszközök kritikusan fontos elemei elektromos járműveknek, gyorstöltőknek, napelemes invertereknek és ipari áramellátási rendszereknek.

Az európai kereslet gyorsabban nő, mint a helyi kínálat, így a gyár integrált gyártási modellje az európai félvezető-értéklánc ellenállóképességét erősíti – az EU Chips Act egyik céljával összhangban.

A félvezetőgyártás feltételei és vállalásai

A támogatás fejében az Onsemi vállalja, hogy hozzájárul a következő generációs, 200 milliméteres SiC-technológia fejlesztéséhez Európában, elsőbbségi megrendeléseket teljesít ellátási hiány esetén (az EU Chips Act előírásai alapján), illetve oktatási és képzési programokkal segíti a munkaerő-fejlesztést.

Az Onsemi kérelmezte azt is, hogy a létesítmény integrált gyártóüzemi státuszt kapjon. Ez egy külön jóváhagyási folyamat, amely még zajlik.

Brüsszel szerint a cseh üzem versenykockázatai alacsonyak, mert Európában kevés a SiC-gyártókapacitás, miközben stratégiai jelentőségű az importfüggőség mérséklése. A projekt az EB szerint pozitív hatást gyakorol Európa félvezető-ökoszisztémájára, különösen a kritikus teljesítményelektronikai eszközök ellátásában.

A jóváhagyással a cseh projekt a nyolcadik nagy intézkedés a félvezetőgyártás területén, amely zöld utat kap a Chips Act keretében. Ezzel az ilyen célokra engedélyezett állami támogatások összege nagyjából 12,8 milliárd euróra nőtt az EU területén.

Gábor János, NEW technology