A technológiai szuverenitásért vívott globális versenyben Európa fontos lépést tesz: a német Infineon Technologies létrehozza a világ első olyan nagyüzemi gyártóegységét, amely a következő generációs gallium-nitrid teljesítmény-félvezetőket 300 milliméteres ostyákon állítja elő.
A vállalat 2034-ig összesen 1,1 milliárd eurót (több mint 400 milliárd forintot) fektet az osztrák villachi telephely meglévő tisztatéri létesítményeibe.
A projekt a meglévő és a korszerűsített infrastruktúra együttes használatára épít, ami hatékony és költséghatékony kapacitásbővítést tesz lehetővé. A tervek szerint a sorozatgyártás 2027 végén indul el, reagálva a nagy teljesítményű tápellátási megoldások iránti, gyorsan növekvő piaci igényre.
A gallium-nitrid (GaN) jelentős hatékonyságnövekedést biztosít számos területen, így a mesterséges intelligencia adatközpontjaiban, az energiainfrastruktúrában, az e-mobilitásban, a robotikában és a szórakoztató elektronikában is. Az Infineon két évvel ezelőtt ért technológiai mérföldkőhöz, amikor a világon elsőként munkált meg sikeresen 300 milliméteres GaN-ostyákat. Ez a technológia lényegesen hatékonyabb a korábbi 200 milliméteresnél, mivel a nagyobb átmérő 2,3-szor több chipet eredményez ostyánként.
„Ez a jelentős beruházás egyértelmű elkötelezettségünket mutatja az európai félvezető-ökoszisztéma és Európa technológiai szuverenitásának megerősítése mellett” – nyilatkozta az Infineon közleményében Jochen Hanebeck vezérigazgató. A cégvezető hozzátette: a 300 milliméteres ostyákon történő gyártással ők lesznek a világon az elsők, akik sorozatgyártásig viszik ezt a technológiát.
A projekt megvalósítását az európai chiptörvény keretében is támogatják. Az Európai Bizottság 319 millió euró (közel 117 milliárd forint) állami támogatást hagyott jóvá a beruházáshoz. Az elemzői várakozások szerint a GaN teljesítmény-félvezetők piaca 2031-re elérheti a 3,5 milliárd dollárt (kb. 1151 milliárd forintot), ami 2025 és 2031 között évi 35 százalékos bővülést jelentene.
Gábor János, NEW technology



